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Q:FM3316 Flash的问题

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发表于 2019-2-25 09:27:08 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 窝心辰 于 2019-2-25 09:57 编辑

1、Flash做数据存储,擦写次数是不是也是10万次?我看资料里有的是1万有的是10万。
2、Flash擦除以扇区(512Byte)为最小单位,写入和读取支持单字节。
3、程序重新烧录后,模拟的数据存储区是否会被擦除?
4、实例的Flash模拟EEPROM 和我直接进行Flash读写有什么区别?


刚接触,感谢回答!


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发表于 2019-2-25 10:12:56 | 显示全部楼层
1、实验证明,Flash擦写周期大于10万次。
2、对。
3、烧录时,flash中的数据会被全部擦除。
4、从flash操作角度讲,没有区别。示例的Flash模拟EEPROM是对Flash读写进行了封装,便于操作。
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发表于 2019-2-25 10:13:03 | 显示全部楼层
另外,咱们这边看到"擦写测试有1万",是从哪里看到的,我们核对下,谢谢。
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发表于 2019-2-25 10:14:23 | 显示全部楼层
http://www.fmdevelopers.com.cn/f ... &extra=page%3D1
QA文档链接,可以参考下。
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 楼主| 发表于 2019-2-25 10:34:55 | 显示全部楼层
本帖最后由 窝心辰 于 2019-3-4 16:37 编辑

5、有没有办法  重新烧录程序的时候FLASH数据区不擦除
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发表于 2019-2-25 15:30:04 | 显示全部楼层
这个是需要定制编程器。
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 楼主| 发表于 2019-3-4 15:08:26 | 显示全部楼层
jinyanlong 发表于 2019-2-25 10:13
另外,咱们这边看到"擦写测试有1万",是从哪里看到的,我们核对下,谢谢。 ...

FM3316_FLASH.c   
这个文件里,写的:
//使用必读!!!

//擦写flash必须在8MHz时钟下操作,否则会发生擦写时钟错误错!!!
//flash寿命1万次,使用时注意平衡磨损,防止失效!!
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 楼主| 发表于 2019-3-4 16:38:47 | 显示全部楼层
jinyanlong 发表于 2019-2-25 15:30
这个是需要定制编程器。

6、如果写入512字节,扇区写和按字节写,有什么差异?
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 楼主| 发表于 2019-3-5 08:31:58 | 显示全部楼层
jinyanlong 发表于 2019-2-25 15:30
这个是需要定制编程器。

7、Flash读写,不能仿真吗?
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发表于 2019-3-5 09:43:28 | 显示全部楼层
窝心辰 发表于 2019-3-5 08:31
7、Flash读写,不能仿真吗?

休眠和擦写flash情况下不可以在线仿真调试
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